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这个工作的主要研究目的是理解和量化TaON中同时存在的O2-和N3-阴离子空位扩散障碍之间的竞争，哥汤国制告以及该竞争如何受到材料电荷状态的影响。克鲁这也是氧杂质扩散的情况。

具体而言，斯新式预对于TaON中中性和低电荷缺陷，氧阴离子扩散主导离子迁移率，而较高电荷状态阻碍氧扩散并同时降低氮扩散势垒。VacancyDiffusionBarriersinTaONandTa3N5Water-SplittingPhotocatalysts(J.Mater.Chem.A,2019,DOI:10.1039/c9ta02280e)本文由材料人学术组tt供稿，片美材料牛整理编辑。因此，布正增加氮含量会增加价带中的N-2p特性，并降低材料的氧化稳定性。

【图文导读】Figure1.TaON和Ta3N5的晶胞结构Figure2.空位迁移(a).TaON中的氧空位迁移路径，阿汤以及扩散能垒随电荷状态的变化(b).TaON中的氮空位迁移路径，阿汤以及扩散能垒随电荷状态的变化Figure3.空位迁移路径、形成能和扩散能垒(a).TaON中的空位交换迁移路径(b).形成能随电荷的变化(c).扩散能垒随电荷状态的变化Figure4.空位迁移路径、形成能和扩散能垒(a).TaON中的空位交换迁移路径(b).形成能随电荷的变化(c).扩散能垒随电荷状态的变化Figure5.氮空位的迁移路径和相应的能垒Figure6.Ta3N5中的迁移能垒【小结】混合阴离子半导体如氮氧化物具有广泛的使用性能，可以针对各种催化应用进行调整，例如光催化水分解。相反，哥汤国制告氧空位缺陷的扩散很大程度上与电荷状态无关。

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